IRFH5210TRPBF

1. Niższe straty przewodzenia
2. Umożliwia lepsze odprowadzanie ciepła
3. Zwiększona niezawodność
4. Zwiększona gęstość mocy
5. Zgodność z wieloma dostawcami
6. Łatwiejsza produkcja
7. Przyjazny dla środowiska
8. Zwiększona niezawodność

Numer części producenta: IRFH9310TRPBF
Producent / Marka Międzynarodowy prostownik (Infineon Technologies)
Część opisu:MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status bez ołowiu / Status RoHS: Bez ołowiu / Zgodny z RoHS
Stan magazynowy: nowy oryginał, dostępne 12000 sztuk.
Wysyłka z: Hong Kongu
Sposób wysyłki: DHL/Fedex/TNT/UPS
Atrybut produktu Wartość atrybutu Wybierz atrybut
Numer części IRFH9310TRPBF
Producent / Marka Międzynarodowy prostownik (Infineon Technologies)
Stan magazynowy 12000 szt. Magazyn
Kategoria Dyskretne produkty półprzewodnikowe > Tranzystory — FET, MOSFET — pojedyncze
Opis MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Status bez ołowiu / Status RoHS: Bez ołowiu / Zgodny z RoHS
Szerokość — wewnątrz -55°C ~ 150°C (TJ)
Napięcie/prąd — wyjście 1 PQFN (5x6)
Tolerancja 5250 pF przy 15 V
Kanał P typu ogonowego
Kąt kroku MOSFET (tlenek metalu)
Termokurczliwe technologie Infineon
Typ SFP/XFP ±20 V
Zdalne możliwości HEXFET®
Skok — kabel do montażu powierzchniowego
Inne nazwy Bez ołowiu / Zgodny z RoHS
Inne nazwy 1
Oscylator typu 8-PowerVDFN
Liczba przetworników cyfrowo-analogowych 30V
Minimalny ciężar właściwy cieczy -
Orientacja łączenia 4,6 mOhm przy 21 A, 10 V
Numer części producenta IRFH9310TRPBFDKR-ND
Długość - Lufa Digi-Reel®
Kolor lampy 4,5 V, 10 V
Wysokie napięcie boczne — maks. (Bootstrap) 21 A (Ta), 40 A (Tc)
Funkcja 58nC @ 4,5V
Aktywna moc cewki
Pojemność kanału (CS (wył.), CD (wył.)) 3,1 W (Ta)
Typ czytnika kart 2,4 V przy 100 µA
Cechy i zalety
Funkcje Wynikające z tego korzyści
Niski RDson (≤ 4,6 mΩ) Niskie straty przewodzenia
Standard branżowy Pakiet PQFN Zgodność z wieloma dostawcami
Zgodny z RoHS Nie zawiera ołowiu, bromu ani halogenu Przyjazny dla środowiska
prowadzi do
Notatka
Forma Ilość
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Taśma i rolka 4000
Numer części, którą można zamówić Typ opakowania Opakowanie standardowe
VDS -30 V
RDS(wł.) maks
(@VGS = 10 V) 4,6 mΩ
Qg (typowo) 110 nC
RG (typowo) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Absolutne maksymalne oceny
Jednostki parametrów
Napięcie dren-źródło VDS
Napięcie bramka-źródło VGS
ID @ TA = 25°C Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V
ID @ TA = 70°C Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Ciągły prąd drenu, VGS @ -10 V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Ciągły prąd drenu, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C ciągły prąd drenu, VGS @ -10 V (pakiet ograniczony)
Impulsowy prąd drenu IDM
PD @TA = 25°C Rozproszenie mocy
PD @ TA = 70°C Rozproszenie mocy
Liniowy współczynnik obniżenia wartości znamionowych W/°C
Węzeł operacyjny TJ i
Zakres temperatur przechowywania TSTG
Powtarzalna ocena;szerokość impulsu ograniczona do max.temperatura złącza.
Początkowy TJ = 25°C, L = 1,1 mH, RG = 50 Ω, IAS = -17 A.
Szerokość impulsu ≤ 400µs;cykl pracy ≤ 2%.
Po zamontowaniu na 1-calowej kwadratowej płytce miedzianej.
Rθ mierzy się przy TJ około 90°C.
TYLKO DO POMOCY PROJEKTOWEJ, nie podlega testom produkcyjnym.